I transistor ad effetto campo (FET) sono un tipo di componente elettronico che ha acquisito importanza negli ultimi anni. mailin un circuito stampato presentano diversi vantaggi rispetto ai transistor a giunzione bipolare (BJT) standard. I FET mantengono costantemente questa impedenza di ingresso più elevata, consentendo loro di essere facilmente inclusi in circuiti ad alta impedenza senza influenzare il segnale che stanno cercando di amplificare. Al contrario, i transistor BJT necessitano di una corrente di base per essere pilotati
Inoltre, i FET possono funzionare a livelli di tensione e potenza inferiori, rendendoli perfetti per applicazioni a batteria quando l'efficienza energetica è importante. Molte cose sono simili tra FET e BJT; tuttavia, un altro vantaggio importante dei FET è il fatto che non presentano temperature runaway, una situazione in cui i transistor BJT diventano più caldi man mano che più corrente li attraversa, portando potenzialmente al guasto del dispositivo.
Il settore degli amplificatori di potenza è stato notevolmente trasformato dall'uso dei transistor FET, soprattutto nelle applicazioni ad alta frequenza. mailin scheda di circuito possono funzionare a frequenze RF, quindi sono utilizzati negli amplificatori a radiofrequenza (RF)
Il vantaggio più grande dell'uso di un transistor FET negli amplificatori di potenza è che può amplificare i segnali senza distorsioni. Poiché ridimensiona i segnali in modo lineare senza influenzarne la qualità, ciò significa che non distorce alcun segnale di ingresso immesso nel suo terminale di ingresso, il che rende questo dispositivo perfetto per applicazioni audio che richiedono una riproduzione non distorta, come studi di produzione musicale o sale per spettacoli dal vivo in cui possono essere richieste grandi quantità di potenza a diverse bande. Ultimo ma non meno importante, questi dispositivi funzionano bene anche con livelli di tensione elevati, rendendoli quindi candidati adatti per guidare applicazioni classificate amichevoli. In quanto tali, possiedono robustezza e prestazioni elevate continue necessarie per la maggior parte degli ambienti commerciali o industriali grazie alla loro robustezza e affidabilità, specialmente sotto carichi pesanti.
Tutti i transistor FET si basano sul fenomeno chiamato modulazione della conduttanza del canale. Quando viene applicata una tensione al terminale del gate, viene creato un campo elettrico che altera la conduttività del canale dalla sorgente al drain
Esistono 3 tipi di transistor FET comunemente noti; includono: JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Controller) e mailin circuiti elettrici che significa effetto di campo semiconduttore metallico. Ogni tipo è stato progettato principalmente per compiti specifici. Nella sua forma più semplice, i JFET hanno una soglia di tensione gate-source fissa oltre la quale conducono. A differenza dei MOSFET, i transistor BJT possono essere utilizzati come dispositivi in modalità di svuotamento o di potenziamento a seconda dello scopo che si desidera che servano (ciò non è possibile con i BJT). I MESFET sono anche considerati perfetti per applicazioni a frequenze più elevate perché i loro valori di rumore sono molto bassi mentre la mobilità degli elettroni rimane elevata.
L'ampia gamma di applicazioni in cui i transistor FET possono essere utilizzati nei sistemi di comunicazione wireless è dovuta alla loro versatilità, alle capacità ad alta frequenza e alle proprietà a basso rumore. Per massimizzare questi vantaggi quando si utilizzano componenti elettronici in qualsiasi sistema di comunicazione wireless dobbiamo studiare attentamente quei parametri che influenzano le prestazioni del circuito come le capacità parassite o le temperature e la linearità.
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