Los transistores de efecto de campo (FET) son un tipo de componente electrónico que ha ganado prominencia en los últimos años. una placa de circuito Tienen varias ventajas sobre los transistores de unión bipolar (BJT) estándar. Los FET mantienen constantemente esta impedancia de entrada más alta, lo que les permite incluirse fácilmente en circuitos de alta impedancia sin afectar la señal que intentan amplificar. Por el contrario, los transistores BJT necesitan una corriente de base para activarlos.
Además, los FET pueden funcionar a niveles de voltaje y potencia más bajos, lo que los hace perfectos para aplicaciones de baterías cuando la eficiencia energética es importante. Hay muchas cosas en común entre los FET y los BJT; sin embargo, otro beneficio importante de los FETS es el hecho de que no presentan descontrol térmico, una situación en la que los transistores BJT se calientan más a medida que fluye más corriente a través de ellos, lo que puede provocar una falla del dispositivo.
El sector de los amplificadores de potencia se ha transformado enormemente con el uso de transistores FET, especialmente en aplicaciones de alta frecuencia. placa de circuito Pueden funcionar en frecuencias de RF, por lo que se utilizan en amplificadores de radiofrecuencia (RF).
La mayor ventaja de utilizar un transistor FET en amplificadores de potencia es que puede amplificar señales sin distorsión. Dado que escala las señales linealmente sin afectar su calidad, esto significa que no distorsiona ninguna señal de entrada que se alimenta a su terminal de entrada, lo que hace que este dispositivo sea perfecto para aplicaciones de audio que requieren una reproducción sin distorsiones, como estudios de producción musical o salas de presentaciones en vivo donde se pueden requerir grandes cantidades de energía en diferentes bandas. Por último, pero no menos importante, estos dispositivos también funcionan bien con altos niveles de voltaje, lo que los convierte en candidatos adecuados para impulsar aplicaciones de clasificados amigables. Como tales, poseen robustez y alto rendimiento continuo necesarios para la mayoría de los entornos comerciales o industriales debido a su robustez y confiabilidad, especialmente bajo cargas pesadas.
Todos los transistores FET se basan en el fenómeno denominado modulación de la conductancia del canal. Cuando se aplica voltaje al terminal de la compuerta, se crea un campo eléctrico que altera la conductividad del canal desde la fuente hasta el drenaje.
Hay 3 tipos de transistores FET conocidos comúnmente; incluyen: JFETS (transistor de efecto de campo de unión), MOSFETS (controladores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) y mailin. circuitos electricos es decir, efecto de campo de semiconductor metálico. Cada tipo ha sido diseñado principalmente para tareas específicas. En su forma más simple, los JFET tienen un umbral de voltaje de compuerta-fuente fijo por encima del cual conducen. A diferencia de los MOSFET, los transistores BJT pueden funcionar como dispositivos de modo de agotamiento o de mejora según el propósito que se desee que cumplan (esto no es posible con los BJT). Los MESFET también se consideran perfectos para aplicaciones de frecuencias más altas porque sus valores de ruido son muy bajos mientras que la movilidad de los electrones sigue siendo alta.
La amplia gama de aplicaciones que pueden tener los transistores FET en los sistemas de comunicación inalámbrica se debe a su versatilidad, capacidades de alta frecuencia y propiedades de bajo ruido. Para maximizar estas ventajas al utilizar componentes electrónicos En cualquier sistema de comunicaciones inalámbricas, debemos investigar cuidadosamente aquellos parámetros que afectan el rendimiento del circuito, como las capacitancias parásitas o las temperaturas y la linealidad.
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