Transistores de efeito de campo (FETs) são um tipo de componente eletrônico que ganhou destaque nos últimos anos. mailin uma placa de circuito têm várias vantagens sobre os Transistores de Junção Bipolares (BJTs) padrão. Os FETs mantêm consistentemente essa impedância de entrada mais alta, permitindo que sejam facilmente incluídos em circuitos de alta impedância sem afetar o sinal que estão tentando amplificar. Em contraste, os transistores BJT precisam de uma corrente de base para acioná-los
Além disso, os FETs podem trabalhar em níveis de voltagem e potência mais baixos, tornando-os perfeitos para aplicações de bateria quando a eficiência energética importa. Muitas coisas são semelhantes entre FETs e BJTs; no entanto, outro grande benefício com FETS é o fato de que eles não apresentam fuga de temperatura - uma situação em que os transistores BJT ficam mais quentes à medida que mais corrente flui através deles, potencialmente levando à falha do dispositivo.
O setor de amplificadores de potência foi bastante transformado pelo uso de transistores FET, principalmente em aplicações de alta frequência. mailin placa de circuito podem operar em frequências de RF, portanto, são usados em amplificadores de radiofrequência (RF)
A maior vantagem de usar um transistor FET em amplificadores de potência é que ele pode amplificar sinais sem distorção. Como ele dimensiona os sinais linearmente sem afetar sua qualidade, isso significa que ele não distorce nenhum sinal de entrada alimentado em seu terminal de entrada, o que torna este dispositivo perfeito para aplicações de áudio que exigem reprodução sem distorção, como estúdios de produção musical ou salas de apresentações ao vivo, onde grandes quantidades de energia podem ser necessárias em diferentes bandas. Por último, mas não menos importante, esses dispositivos também funcionam bem com altos níveis de tensão, tornando-os candidatos adequados para aplicações de classificados amigáveis. Como tal, eles possuem robustez e alto desempenho contínuo necessários para a maioria dos ambientes comerciais ou industriais devido à sua robustez e confiabilidade, especialmente sob cargas pesadas.
Todos os transistores FET são baseados no fenômeno chamado modulação de condutância de canal. Quando a tensão é aplicada ao terminal do gate, um campo elétrico é criado, o que altera a condutividade do canal da fonte para o dreno
Existem 3 tipos de transistores FET comumente conhecidos; eles incluem: JFETS (Transistor de Efeito de Campo de Junção), MOSFETS (Controladores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico) e mailin circuitos elétricos significando efeito de campo de semicondutor de metal. Cada tipo foi projetado principalmente para tarefas específicas. Em sua forma mais simples, os JFETs têm um limite de tensão de porta-fonte fixo sobre o qual eles conduzem. Ao contrário dos MOSFETs, os transistores BJT podem ser operados como dispositivos de modo de depleção ou aprimoramento, dependendo da finalidade que se deseja que eles atendam (isso não é possível com BJTs). Os MESFETs também são considerados perfeitos para aplicações de frequências mais altas porque seus valores de ruído são muito baixos, enquanto a mobilidade dos elétrons permanece alta.
A ampla gama de aplicações que os transistores FET podem ser usados em sistemas de comunicação sem fio se deve à sua versatilidade, capacidades de alta frequência e propriedades de baixo ruído. Para maximizar essas vantagens ao usar componentes eletrônicos em qualquer sistema de comunicação sem fio, precisamos investigar cuidadosamente os parâmetros que afetam o desempenho do circuito, como capacitâncias parasitas ou temperaturas e linearidade também
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