필드 효과 트랜지스터(FET)는 최근 몇 년 동안 각광받고 있는 전자 부품의 한 종류입니다. 회로 기판 표준 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)에 비해 여러 가지 장점이 있습니다. FET는 지속적으로 이 더 높은 입력 임피던스를 유지하므로 증폭하려는 신호에 영향을 미치지 않고 고임피던스 회로에 쉽게 포함될 수 있습니다. 반면, BJT 트랜지스터는 구동하기 위해 베이스 전류가 필요합니다.
또한 FET는 더 낮은 전압과 전력 수준에서 작동할 수 있어 에너지 효율성이 중요한 배터리 애플리케이션에 적합합니다. FET와 BJT는 많은 면에서 유사하지만 FET의 또 다른 주요 이점은 온도 폭주가 없다는 것입니다. 온도 폭주는 BJT 트랜지스터가 더 많은 전류가 흐르면서 뜨거워져 잠재적으로 장치 고장으로 이어질 수 있는 상황입니다.
전력 증폭기 분야는 FET 트랜지스터를 사용함으로써 크게 변모했으며 특히 고주파 응용 분야에서 더욱 그렇습니다. 회로 기판 RF 주파수에서 작동할 수 있으므로 무선 주파수(RF) 증폭기에 사용됩니다.
전력 증폭기에서 FET 트랜지스터를 사용하는 가장 큰 장점은 왜곡 없이 신호를 증폭할 수 있다는 것입니다. 신호의 품질에 영향을 미치지 않고 선형적으로 신호를 확장하므로 입력 단자에 공급되는 입력 신호를 왜곡하지 않으므로 이 장치는 음악 제작 스튜디오나 다양한 대역에서 많은 양의 전력이 필요할 수 있는 라이브 공연장과 같이 왜곡되지 않은 재생이 필요한 오디오 애플리케이션에 적합합니다. 마지막으로 이러한 장치는 고전압 레벨에서도 잘 작동하므로 친근한 분류 광고 애플리케이션을 구동하는 데 적합한 후보입니다. 따라서 대부분의 상업 또는 산업 환경에 필요한 견고성과 지속적인 고성능을 보유하고 있으며, 특히 무거운 부하에서 견고성과 안정성이 뛰어납니다.
모든 FET 트랜지스터는 채널 컨덕턴스 변조라는 현상에 기반을 둡니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 소스에서 드레인까지 채널의 전도도를 변경하는 전기장이 생성됩니다.
일반적으로 알려진 FET 트랜지스터에는 JFET(Junction Field Effect Transistor), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Controller) 및 mailin 등 3가지 유형이 있습니다. 전기 회로 금속 반도체 전계 효과를 의미합니다. 각 유형은 주로 특정 작업을 위해 설계되었습니다. 가장 단순하게 말하면, JFET는 전도되는 고정된 게이트-소스 전압 임계값을 갖습니다. MOSFET과 달리 BJT 트랜지스터는 어떤 목적에 사용하려는지에 따라 고갈 모드 또는 증강 모드 장치로 작동할 수 있습니다(BJT에서는 불가능합니다). MESFET는 잡음 값이 매우 낮고 전자 이동도가 높기 때문에 고주파 애플리케이션에 완벽한 것으로 간주됩니다.
FET 트랜지스터가 무선 통신 시스템에서 사용될 수 있는 광범위한 응용 분야는 다재다능함, 고주파 성능 및 저잡음 특성 때문입니다. 이러한 이점을 극대화하기 위해 다음을 사용할 때 전자 부품 무선 통신 시스템에서는 기생 용량이나 온도, 선형성과 같은 회로 성능에 영향을 미치는 매개변수를 주의 깊게 조사해야 합니다.
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2009년에 설립된 Hangzhou Hezhan Technology Co., Ltd.는 6000제곱미터 규모의 제조 시설을 자랑하며 전자 제조에 맞게 설계된 최첨단 클린룸을 갖추고 있습니다. 연구 및 생산 전자 표면 실장에 중점을 두고, 방대한 산업 경험을 바탕으로 고객에게 올인원 PCBA 솔루션을 제공하고 있으며, 소량 생산 및 온라인 배송 모델로 전환하고 있습니다. 회사에는 약 150명의 직원이 있습니다. 그들은 약 100명의 트랜지스터 생산 팀, 약 50명의 RD 부서, 경영진과 함께 영업 직원, 전문화된 OEM 부서를 보유하고 있습니다. 연매출이 50만 위안에 가까운 Hezhan Technology는 지난 몇 년 동안 상당한 성장을 경험했습니다. 회사의 지난 50년 동안 연평균 성장률은 XNUMX%가 넘으며, 이는 회사가 급속한 확장 단계에 있음을 시사합니다.
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