電界効果トランジスタ（FET）は、近年注目を集めている電子部品の一種です。 回路基板 FETは標準的なバイポーラ接合トランジスタ（BJT）に比べていくつかの利点があります。FETは一貫して高い入力インピーダンスを維持するため、増幅しようとしている信号に影響を与えることなく、高インピーダンス回路に簡単に組み込むことができます。対照的に、BJTトランジスタはベース電流を必要とします。
さらに、FET はより低い電圧と電力レベルで動作できるため、エネルギー効率が重要となるバッテリー アプリケーションに最適です。FET と BJT には多くの類似点がありますが、FET のもう 1 つの大きな利点は、温度暴走 (BJT トランジスタに流れる電流が増えると熱くなり、デバイスが故障する可能性がある状況) が発生しないことです。
パワーアンプ分野は、特に高周波アプリケーションにおいてFETトランジスタの使用によって大きく変化しました。 回路基板 RF周波数で動作できるため、無線周波数（RF）アンプに使用されます。
パワーアンプにFETトランジスタを使用する最大の利点は、歪みなく信号を増幅できることです。信号の品質に影響を与えることなく信号を直線的にスケーリングするため、入力端子に送られる入力信号は歪みません。そのため、このデバイスは、さまざまな帯域で大量の電力が必要になる可能性のある音楽制作スタジオやライブパフォーマンスホールなど、歪みのない再生を必要とするオーディオアプリケーションに最適です。最後に、これらのデバイスは高電圧レベルでも適切に機能するため、フレンドリーな分類アプリケーションの駆動に適しています。特に高負荷時の堅牢性と信頼性により、ほとんどの商用または産業環境に必要な耐久性と継続的な高性能を備えています。
すべてのFETトランジスタは、チャネルコンダクタンス変調と呼ばれる現象に基づいています。ゲート端子に電圧が印加されると、電界が生成され、ソースからドレインまでのチャネルの伝導性が変わります。
FETトランジスタには、一般的に知られている3つのタイプがあります。JFET（接合型電界効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果コントローラ）、およびメーリンです。 電気回路 金属半導体電界効果を意味します。各タイプは主に特定のタスク用に設計されています。最も単純な JFET には、導通する固定のゲート ソース電圧しきい値があります。MOSFET とは異なり、BJT トランジスタは、目的に応じてデプレッション モード デバイスまたはエンハンスメント モード デバイスとして動作できます (これは BJT では不可能です)。MESFET は、ノイズ値が非常に低く、電子移動度が高いため、高周波アプリケーションにも最適であると考えられています。
FETトランジスタが無線通信システムで使用できる幅広い用途は、その汎用性、高周波機能、低ノイズ特性によるものです。使用時にこれらの利点を最大限に活用するには、 電子部品 どのような無線通信システムでも、寄生容量や温度、直線性など回路の性能に影響を与えるパラメータを注意深く調査する必要がある。
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